晶閘管測(cè)試儀庫(kù)號(hào)：M234586晶閘管測(cè)試儀庫(kù)號(hào)：M234586

能測(cè)試晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、

VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。

IGBT、場(chǎng)效應(yīng)管、整流橋、固態(tài)繼電器、光耦等半導(dǎo)體器件都可測(cè)試。采用單片機(jī)控制，是晶閘管可控硅及整流管等半導(dǎo)體器件單位、經(jīng)銷商及整機(jī)單位用來(lái)檢測(cè)器件伏安特性（也叫阻|斷特性）參數(shù)的檢測(cè)設(shè)備。



主要技術(shù)指標(biāo)：

1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可選，也可定制其它范圍

2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA、0—200mA可選，也可定制其它范圍

3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA、0—198mA

4．機(jī)內(nèi)液晶示波器可觀看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形



儀器測(cè)試使用方法：

1．檢查高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針調(diào)到零，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，按極性接好被測(cè)管。

2．根據(jù)個(gè)人習(xí)慣，調(diào)節(jié)示波器的功能（光點(diǎn)位置、顏色、粗細(xì)等）至 合適狀態(tài)。

3．將保護(hù)設(shè)定調(diào)在要求保護(hù)的漏電流值。撥碼開(kāi)關(guān)上面的一個(gè)數(shù)字代表1mA， 多可以設(shè)定到99mA，一般

測(cè)室溫電壓時(shí)，保護(hù)設(shè)定在5mA左右。

4．將正向／反向按鈕置于正向（不按下時(shí)），緩慢順時(shí)針調(diào)節(jié)高壓調(diào)節(jié)旋鈕，觀察示波器，當(dāng)波形出現(xiàn)拐點(diǎn)，

漏電流表上也顯示有漏電流時(shí)，此時(shí)的電壓即為正向不重復(fù)峰值電壓。一般取不重復(fù)峰值電壓的90%為重復(fù)峰值電壓，將電壓調(diào)至重復(fù)峰值電壓，此電壓下的漏電流即為重復(fù)峰值漏電流。然后將高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針調(diào)到零，再將正向／反向按鈕置于反向（按下時(shí)），用同樣的方法測(cè)出反向不重復(fù)峰值電壓，反向重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值漏電流。在測(cè)試過(guò)程中若因漏電流chao過(guò)保護(hù)設(shè)定值則保護(hù)動(dòng)作，保護(hù)指示燈亮，設(shè)備自動(dòng)斷開(kāi)加在被測(cè)管Ａ、Ｋ端的高壓，此時(shí)將高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針旋到底，儀器即自動(dòng)復(fù)位。





0-6000V主要技術(shù)指標(biāo)：

1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—6000V
2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—200mA
3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—198mA
4．機(jī)內(nèi)示波器可觀看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形